报告题目：　　低维材料拓扑缺陷的物理力学形为 

　　报告人:     张助华 教授 

　　南京航空航天大学 

　　时间：2017年11月7日(周二)  16: 00     

　　地点：中国科学院力学研究所主楼334会议室 

　　报告摘要： 

　　本报告将介绍课题组在低维材料缺陷的结构和功能方面的部分研究进展。首先，发现二维硫化钼的位错具有充实的磁性，形成的一维晶界具有铁磁性自旋序，与石墨烯和氮化硼中的位错没有磁性截然不同。因此，单层硫化钼经变形产生位错后即可变为富有前景的二维磁性半导体，为诠释半导体纳米材料的力磁耦合提供了难得的范例。针对石墨烯晶界形状的多样性，解析发现石墨烯晶界的形状是由晶畴的对称性控制；在晶畴不对称情况下，弯曲型晶界通过局部的对称性降低能量，比直线型晶界更稳定，所得结构与先前发表于Nature的实验结果(469, 389, 2010)一致；此外，弯曲型晶界具有更高的拉伸强度和一律的半导体电输运性质。以上结果揭示了低维材料缺陷丰富的物理力学行为和良好的应用前景。 

　　报告人简介： 

　　张助华，2010年于南京航空航天大学获得工学博士学位。曾留学于美国内布拉斯加大学林肯分校和Rice大学，现任南京航空航天大学航空宇航学院、机械结构力学及控制国家重点实验室教授、博士生导师。2012年获教育部自然科学一等奖，2013年获全国优秀博士学位论文提名奖，南京航空航天大学首批“长空学者”。长期从事低维材料物性与器件原理的理论与模拟研究。研究成果以第一/通讯作者发表SCI论文37篇：包括Nature Chem. (1篇)、Nature Commun. (2篇，并列第一)、PRL (1篇)、JACS (4篇)、Nano Lett. (3篇)、Angew. Chem. (2篇)、Adv. Funct. Mater. (2篇)、ACS Nano (1篇)和JMPS (1篇)；受Wiley旗下综述期刊WIREs Comput. Mol. Sci.邀请撰写长篇综述论文；这些成果多次被《自然-纳米技术》、《自然评论-材料》、《自然-亚洲材料》、美国能源部等国际权威学术媒体选为研究亮点。所有成果共计发表SCI论文70余篇，其中影响因子10以上的论文35篇，被SCI他引2000余次。