规格型号

HiPIMS-1

主要功能与特色

高能冲击磁控溅射（HiPIMS）等离子体发生与成膜控制平台，将国际上新出现HiPIMS与等离子体基离子注入沉积方法相结合，采用前者获得淹没性的高离化率金属等离子体，通过溅射脉冲和高压脉冲的波形匹配实现参与成膜粒子能量可控，形成一种新颖的成膜过程控制技术。利用HiPIMS技术，金属Ti的离化率可达80%。粒子能量超过100eV，通过调整高、低磁控电压脉冲的脉宽比例，HiPIMS耦合电源还可实现对离化率的有效调控。该平台可开展多元及复杂体系涂层表面改性的应用研究。样品计费。

关键技术指标

真空系统，极限真空度达到10^-4Pa级；

磁控溅射Ti离化率达：80%以上；

粒子能量在20eV~50KeV之间可调；

Ti过渡层界面混合：形成>20nm界面混合层， TiN膜基结合力>80N；

成膜速度：TiN膜>1mm/h，DLC膜>0.5mm/h；

磁控溅射功率密度 1~2 KW/cm²，脉冲频率10~100 Hz，脉宽10~200ms；

高压脉冲电源电压3~50 KV，脉冲频率10~100 Hz，脉宽10~200ms。

预约方式

010-82544266

典型案例

1）利用高能冲击磁控源，可以实现众多金属（含碳）元素的离子注入，可以在高精尖零件的摩擦磨损、表面防腐蚀等领域开展研究。

2）针对目前我国严重依赖进口高端镀膜刀具，可开展TiN、TiAlSiN和TiCN等高质量薄膜的表面改性工业化应用研究。

3）可在等离子复合表面改性方法、材料的复合表面改性等领域开展大量的研究，针对表面改性膜层服役性能问题，开展膜基界面领域的研究工作。